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        單層氧化石墨烯（H法/進口）
        
            
        簡要描述：單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
        制備方法：改良的H法
        直徑：1~5um
        厚度：0.8~1.2nm
        單層比：99%
        純度：99%
        堆積密度：0.44g/cm3
        體積密度：為0.26g/cm3 
        
            
          

        • 更新時間：2024-06-04
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        • 產品型號： 
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        • 廠商性質：生產廠家
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        • 訪  問  量：1368
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        詳細介紹
        
            
        
            	
        單層氧化石墨烯（H法/進口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
        制備方法：改良的H法
        直徑：1~5um
        厚度：0.8~1.2nm
        單層比：99%
        純度：99%
        堆積密度：0.44g/cm3
        體積密度：為0.26g/cm3



        TEM of Graphene Oxide



        *The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound

          
            
        
            
            
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                請輸入計算結果（填寫阿拉伯數字），如：三加四=7
            
          
		
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