硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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更新時(shí)間：2024-06-04產(chǎn)品型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家訪 問(wèn) 量：1471詳細(xì)介紹
硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底
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